[19p-Z33-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19p-Z33-7] 環状オレフィンポリマー基板への種々の表面修飾が及ぼすZnO薄膜の配向結晶成長への影響

〇(D)大賀 友瑛¹、金子 奈帆¹、金子 智^2,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化亜鉛、真空紫外光、ポリマー

ZnOなどのワイドギャップ酸化物半導体を用いたデバイス形成には、結晶配向成長による物性制御が重要である。ポリマー基板上のZnO薄膜の結晶配向成長には、低温での結晶核形成や成長方位制御が重要であり、ポリマー表面のモフォロジーやエネルギー制御に加え酸化物バッファ層形成の効果が期待される。本研究では、シクロオレフィンポリマー(COP)基板への種々の修飾を行いZnO薄膜成長に及ぼす影響について検討した。