12:00 〜 12:15 [21a-M206-12] セルフアラインリセスゲートGa2O3 MOSFET作製に向けたエッチングプロセスの開発 〇上村 崇史1、東脇 正高1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)