11:15 〜 11:30 △ [21a-M206-9] NO窒化処理を施したSiC(1-100) MOSデバイスのリーク電流特性 〇鈴木 亜沙人1、小林 拓真1、染谷 満2、岡本 光央2、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)