13:30 〜 13:45 [23p-C102-2] LPCVD SiN膜の絶縁破壊特性に及ぼす下地Siアニールの影響 〇宮川 勇人1、文谷 公亮1、栗田 久嗣2、中村 真貴2、神垣 良昭3 (1.香川大創造工、2.ローム浜松、3.EBL)