13:30 〜 13:45 △ [22p-B204-1] スパッタSiO2成膜によるSiO2/GaN MOS界面のGaOx層抑制 〇(B)大西 健太郎1、小林 拓真1、溝端 秀聡1、野﨑 幹人1、吉越 章隆2、志村 考功1、渡部 平司1 (1.大阪大学、2.原子力機構)
13:45 〜 14:00 [22p-B204-2] スパッタ成膜 SiO2/GaN 構造における Ga 拡散抑制効果 〇(B)大西 健太郎1、小林 拓真1、溝端 秀聡1、野﨑 幹人1、吉越 章隆2、志村 考功1、渡部 平司1 (1.大阪大学、2.原子力機構)