10:00 〜 10:15 [21a-M206-5] 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討 〇(M2)秋葉 淳宏1、矢野 裕司1 (1.筑波大学)