[21a-M206-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[21a-M206-5] Analysis of near-interface trap density distribution in 4H-SiC MOSFETs by 3 level charge pumping characteristics

〇(M2)Atsuhiro Akiba¹, Yano Hiroshi¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:semiconductor, silicon carbide

本研究ではNITの酸化膜分布やE > E_C,SiCの領域におけるNITの影響を考察した。また、E > E_C,SiCのNITに由来する3LCP特性の計算を行ったところ、CP電流が非常に小さく、実測で見られた電流値が減少ののち増加に転じる特性は現われないことが分かった。