[21a-M206-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [21a-M206-4] Improved performance of 4H-SiC(0001) CMOS devices by post-nitridation treatment in CO₂

〇Mizuki Kuniyoshi^1,2, Kidist Moges¹, Takuma Kobayashi¹, Takuji Hosoi³, Takayoshi Shimura¹, Keita Tachiki⁴, Tsunenobu Kimoto⁴, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.ULVAC, Inc., 3.Kwansei Gakuin Univ., 4.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC, CMOS, CO2

信頼性を担保した上でSiO₂/SiC界面特性を改善する手法としてCO₂熱処理がある。実際にNO窒化処理後にCO₂熱処理（CO₂-PNA）を行うことで、高い移動度と信頼性を両立できるが、これまでの検討はnMOSFETに留まっている。本研究では、SiO2/SiC構造にCO₂-PNAを行ったn,pMOSFET、CMOSインバータ、リングオシレータを全て同一チップ上に作製し、電気的特性の評価を行った。