[21a-M206-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [21a-M206-3] Low-temperature characteristics of high-quality 4H-SiC (1120)/SiO₂ interface formed by the oxidation-minimizing process

〇Kyota Mikami¹, Keita Tachiki,¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC MOSFET, MOS interface, Interface state

我々は新規MOS構造形成手法(酸化抑制プロセス)によって、チャネル移動度を劇的に向上可能であることを報告した。しかし界面準位低減量は未知であるため、低温測定によって低減量を推定した。その結果、界面準位をSi、A面で半分以上低減できることが分かった。酸化抑制プロセスで作製したA面MOSFET(アクセプタ密度:1×10¹⁸ cm⁻³)は100 Kで198 cm²/Vsという極めて高い移動度を示した。