13:00 〜 13:15 [22p-A202-1] プラズマ CVD 法による Si および N 添加 DLC 膜の電気特性に及ぼす H2および Ar 希釈の効果 〇佐々木 祐弥1、長内 公哉1、室野 優太1、佐藤 聖能1、小林 康之1、遠田 義晴1、鈴木 裕史1、中澤 日出樹1 (1.弘前大院理工)