14:20 〜 14:35 [21p-M206-3] SiC MOS反転層移動度の支配的散乱要因に関する考察 〇畠山 哲夫1、平井 悠久2、染谷 満2、岡本 大1、岡本 光央2、原田 信介2 (1.富山県立大工、2.産総研)