10:00 〜 10:15 [20a-C200-5] RF-MBE法を用いたScAlMgO4基板上GaN成長における成長初期過程の検討 〇和田 邑一1、黒田 悠弥1、後藤 直樹1、藤井 高志1、毛利 真一郎1、出浦 桃子2、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)