HUIQIN ZHOU

発表者・著者、共著者

2022年9月20日(火) 09:00 〜 12:00 C306 (C306)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-C306-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

11:15 〜 11:30

▼ [20a-C306-9] Analysis of Inclusion Defect Generation in SiC Solution Crystal Growth Method Using Phase-Field Model

〇(D)HUIQIN ZHOU¹、YUMA FUKAMI¹、YIFAN DANG¹、Shunta Harada^1,2、Miho Tagawa^1,2、Toru Ujihara^1,2 (1.Grad. School of Eng. Nagoya Univ.、2.IMaSS, Nagoya Univ.)

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