16:00 〜 18:00 [20p-P04-1] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ 画素デバイスの200℃高温動作 〇堤 将之1、目黒 達也1、武山 昭憲2、大島 武2、田中 保宣3、黒木 伸一郎1 (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)