09:30 〜 09:45 [21a-C105-3] 電気化学的酸化法によるTa酸化膜の形成とReRAMへの適用:酸化膜形成時の純水滴下効果 〇宮田 直仁1、末木 学1、石井 晶芳1、高橋 昌男1、茂庭 昌弘1 (1.東京工科大工)