11:30 〜 11:45 △ [21a-M206-10] NO窒化を施した非基底面上SiO2/SiC構造のバンドアライメント評価 〇中沼 貴澄1、小林 拓真1、染谷 満2、岡本 光央2、吉越 章隆3、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研、3.原子力機構)