円城寺佑哉

→ Google ScholarでYuya Enjojiを検索

発表者・著者、共著者

2022年9月21日(水) 09:00 〜 12:30 M206 (マルチメディアホール)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:15 〜 10:30

△ [21a-M206-6] AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価

〇(M1)円城寺佑哉¹、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大)