17:30 〜 17:45 △ [21p-A205-17] 導波路に向けた屈折率自由度を持つSiONの成膜条件の検討 〇(M2)山口 圭太1、Eissa Moataz1、大礒 義孝1、雨宮 智宏1,2、西山 伸彦1,2,3 (1.東工大工、2.東工大未来研、3.PETRA)