13:15 〜 13:30 △ [21p-B203-1] ミストCVD法によるβ-(AlxGa1-x)2O3/β-(InxGa1-x)2O3/β-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長 〇金子 真大1、西中 浩之1、鐘ケ江 一孝1、吉本 昌広1 (1.京都工繊大)