18:00 〜 18:15 △ [21p-B203-18] 原子層堆積法を用いた高移動度 In2O3薄膜トランジスタの作製 〇川戸 勇人1、髙橋 崇典1、上沼 睦典1、小林 正治2、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.東大生研)