Sayleap Sdoeung

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発表者・著者、共著者

2022年9月21日(水) 13:15 〜 18:45 B203 (B203)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:30 〜 15:45

▼ [21p-B203-9] Dislocation Responsible for Leakage Current in HVPE (001) β-Ga₂O₃SBD Observed by Emission Microscopy and Synchrotron X-ray Topography

〇(D)Sayleap Sdoeung¹、Kohei Sasaki²、Katsumi Kawasaki³、Jun Hirabayashi³、Akito Kuramata²、Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ.、2.Novel Crystal Technology、3.TDK)