13:30 〜 13:45 [21p-C105-1] 表面ラフネス散乱の非線形モデルにより決定されたSi nMOSFETの電子移動度の極低温下での妥当性 〇隅田 圭1、姜 旼秀1、トープラサートポン カシディット1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工)