13:30 〜 15:30 [21p-P12-47] 二次元WOxをトラップ層とするMoS2電荷トラップメモリの作製 〇(M1)野村 尚哉1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)