10:00 〜 10:15 △ [22a-A102-5] pMOSシリコン量子ドットにおける電荷ノイズの温度依存性評価 〇中越 一真1、土屋 龍太2、峰 利之2、久元 大2、水野 弘之2、溝口 来成1、米田 淳1、小寺 哲夫1 (1.東工大、2.日立研開)