09:00 〜 09:15 △ [22a-B204-1] TCADデバイスシミュレーションによるSiCサイドゲートJFETにおける短チャネル効果の解析 〇前田 憲幸1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)