10:30 〜 10:45 [22a-C200-6] n-SiC上にエピタキシャル成長したAlN薄膜による高倍音バルク音響共振器の作製と評価 〇黒子 めぐみ1、畑中 大樹1、太田 竜一1、高瀬 恵子1、山口 浩司1、谷保 芳孝1、岡本 創1 (1.NTT物性研)