Jieqiong Zhang

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発表者・著者、共著者

2022年9月22日(木) 13:30 〜 17:45 A301 (A301)

一般セッション(口頭講演)
| 16 非晶質・微結晶
| 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22p-A301-1~15] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

13:45 〜 14:00

▼ [22p-A301-2] Effect of Se Substitution for Te and N Doping on GeSbTe Based Phase Change Memory

〇Jieqiong Zhang¹、Katsuyoshi Komatsu¹、Tadaomi Daibou¹、Hiroki Tokuhira¹ (1.KIOXIA Corporation)