13:30 〜 15:30 [22p-P12-1] 数値解析によるCz法ヘビードープシリコン単結晶成長時の成長界面における点欠陥生成挙動に関する研究 〇向山 裕次1,2、末岡 浩治3 (1.岡山県立大院情報系工、2.STR Japan株式会社、3.岡山県立大情報工)