10:15 〜 10:30 △ [23a-A202-6] P++ソース・ドレイン層を導入した2DHGダイヤモンドMOSFETsの放射線照射効果 〇(B)賈 学テイ1、鈴木 優紀子1、出口 祐靖2、浅井 風雅1、高橋 輝1、太田 康介1、平岩 篤1、金子 純一2、川原田 洋1,3 (1.早大理工、2.北大工、3.早大材研)