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[20a-B103-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

2022年9月20日(火) 09:00 〜 12:15 B103 (B103)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▲ [20a-B103-1] Dielectric Properties of Ba_xSr₁₋_xTiO₃ (x = 0.5) Epilayer Transferred on PET Substrate

〇(M2)RUI YU¹、Lizhikun Gong¹、Hiromichi Ohta²、Tsukasa Katayama^2,3 (1.IST- Hokkaido Univ、2.RIES-Hokkaido Univ、3.JST-PRESTO)

09:15 〜 09:30

△ [20a-B103-2] 水溶性犠牲層を用いたSrTiO₃ (001)基板上エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜の剥離

〇(M1C)高橋和大¹、吉野正人¹、長﨑正雅¹、安井伸太郎²、安原颯²、山田智明¹ (1.名大工、2.東工大)

09:30 〜 09:45

▼ [20a-B103-3] Enhanced extrinsic contribution in the piezoelectric response of epitaxial (K, Na)NbO₃ films

〇Xueyou Yuan¹、Kazuki Okamoto¹、Mitsuki Kawano¹、Masahito Yoshino¹、Takanori Nagasaki¹、Yasuhiko Imai²、Osami Sakata²、Tomoaki Yamada¹ (1.Nagoya Univ.、2.JASRI)

09:45 〜 10:00

[20a-B103-4] エピタキシャル菱面体晶Pb(Zr, Ti)O₃薄膜における電気光学効果の組成依存性

〇近藤真矢¹、宇都宮達基¹、寺西貴志^1,2、藤井達生¹、山田智明³、岸本昭¹ (1.岡大院、2.東工大、3.名大工)

10:00 〜 10:15

△ [20a-B103-5] PZTエピタキシャル薄膜のZr/Ti比における機械的品質Q_mの依存性

〇國信聡太^1,2、清水祐樹^1,2、柳谷隆彦^1,2,3,4 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)

10:15 〜 10:30

[20a-B103-6] チタン酸バリウム微小粒子合成に与える原料濃度の影響

〇山口正樹¹、齋藤敦史¹、山本孝² (1.芝浦工大、2.大阪公立大)

10:45 〜 11:00

[20a-B103-7] (100)MgO基板上に製膜したBa(Zr_xTi_1-x)O₃の結晶構造と誘電特性

〇高橋良¹、江原祥隆¹、濵嵜容丞¹、澤井眞也¹、安井伸太郎²、安岡慎之介²、舟窪浩²、西田謙¹ (1.防衛大、2.東工大)

11:00 〜 11:15

[20a-B103-8] ガラス基板上における一軸配向PZT薄膜の組成制御による分極特性の改善

〇山崎佑介¹、横田幸恵¹、島宏美²、舟窪浩³、内田寛¹ (1.上智大、2.防衛大、3.東工大)

11:15 〜 11:30

[20a-B103-9] 水熱合成法で作製したPbTiO₃基エピタキシャル膜の結晶構造及び特性評価

〇(M2)胡雨弦¹、岡本一輝¹、舟窪浩¹ (1.東工大)

11:30 〜 11:45

[20a-B103-10] 局所C-Vマッピング法による強誘電体薄膜のナノスケール分極反転ダイナミクスのクラスタ解析

〇平永良臣¹、三村和仙²、清水荘雄²、舟窪浩²、長康雄¹ (1.東北大、2.東工大)

11:45 〜 12:00

[20a-B103-11] スパッタ法によるSi基板上エピタキシャルPZT薄膜のアニール効果

〇原田絃暉¹、木村剛基¹、田中清高¹、權相曉¹、神野伊策¹ (1.神戸大工)

12:00 〜 12:15

[20a-B103-12] In-situ XRDによるエピタキシャル(K,Na)NbO₃薄膜の圧電ひずみ観察

〇小川零¹、田中清高¹、權相暁¹、神野伊策¹、譚賡²、小金澤智之³ (1.神戸大工、2.大阪公立大、3.高輝度光科学研究センター(JASRI))

セッション情報

[20a-B103-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

▲ [20a-B103-1] Dielectric Properties of Ba_xSr₁₋_xTiO₃ (x = 0.5) Epilayer Transferred on PET Substrate

△ [20a-B103-2] 水溶性犠牲層を用いたSrTiO₃ (001)基板上エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜の剥離

▼ [20a-B103-3] Enhanced extrinsic contribution in the piezoelectric response of epitaxial (K, Na)NbO₃ films

[20a-B103-4] エピタキシャル菱面体晶Pb(Zr, Ti)O₃薄膜における電気光学効果の組成依存性

△ [20a-B103-5] PZTエピタキシャル薄膜のZr/Ti比における機械的品質Q_mの依存性

[20a-B103-6] チタン酸バリウム微小粒子合成に与える原料濃度の影響

[20a-B103-7] (100)MgO基板上に製膜したBa(Zr_xTi_1-x)O₃の結晶構造と誘電特性

[20a-B103-8] ガラス基板上における一軸配向PZT薄膜の組成制御による分極特性の改善

[20a-B103-9] 水熱合成法で作製したPbTiO₃基エピタキシャル膜の結晶構造及び特性評価

[20a-B103-10] 局所C-Vマッピング法による強誘電体薄膜のナノスケール分極反転ダイナミクスのクラスタ解析

[20a-B103-11] スパッタ法によるSi基板上エピタキシャルPZT薄膜のアニール効果

[20a-B103-12] In-situ XRDによるエピタキシャル(K,Na)NbO₃薄膜の圧電ひずみ観察

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[20a-B103-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

▲ [20a-B103-1] Dielectric Properties of BaxSr1−xTiO3 (x = 0.5) Epilayer Transferred on PET Substrate

△ [20a-B103-2] 水溶性犠牲層を用いたSrTiO3 (001)基板上エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の剥離

▼ [20a-B103-3] Enhanced extrinsic contribution in the piezoelectric response of epitaxial (K, Na)NbO3 films

△ [20a-B103-5] PZTエピタキシャル薄膜のZr/Ti比における機械的品質Qmの依存性

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▲ [20a-B103-1] Dielectric Properties of Ba_xSr₁₋_xTiO₃ (x = 0.5) Epilayer Transferred on PET Substrate

△ [20a-B103-2] 水溶性犠牲層を用いたSrTiO₃ (001)基板上エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜の剥離

▼ [20a-B103-3] Enhanced extrinsic contribution in the piezoelectric response of epitaxial (K, Na)NbO₃ films

△ [20a-B103-5] PZTエピタキシャル薄膜のZr/Ti比における機械的品質Q_mの依存性