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[21p-B202-1~13] 13.9 化合物太陽電池

2022年9月21日(水) 13:30 〜 17:00 B202 (B202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

▼ [21p-B202-1] Effects of Thin Ag₂S Buffer Layers on CuGaS₂ Thin Films Grown with RF Sputtering

〇(M1C)Abhishek Gupta^1,2、Nazmul Ahsan²、Myeongok Kim^2,3、Yoshitaka Okada^2,3 (1.Grad. Arts &Sci. UTokyo、2.RCAST UTokyo、3.Grad. Eng. UTokyo)

13:45 〜 14:00

▼ [21p-B202-2] Investigation on MoS₂ Thin-film for Solar Cell Applications

〇(M2)Danrong Xie^1,2、Myeongok Kim^1,2、Nazmul Ahsan²、Abhishek Gupta³、Yoshitaka Okada^1,2 (1.Eng. U-Tokyo、2.RCAST U-Tokyo、3.Grad. Arts & Sci. U-Tokyo)

14:00 〜 14:15

▼ [21p-B202-3] Improved Photovoltaic Properties of Few-layer WS_0.3Se_1.7/WO_x Lateral p⁺-n Junctions

〇(D)Abdul A Kuddus¹、Kojun Yokoyama¹、Keiji Ueno¹、Hajime Shirai¹ (1.Saitama University)

14:15 〜 14:30

[21p-B202-4] CdS/Cu₂O 界面のバンド接続

〇寺田教男¹、大久保勝博¹、向井大輔¹、山本和重²、中川直之²、永井武彦³、反保衆志³ (1.鹿児島大学、2.東芝、3.産総研)

14:30 〜 14:45

[21p-B202-5] 中間層に水酸化マグネシウム薄膜を用いた酸化鉄薄膜太陽電池の作製

〇村上諒¹、市村正也¹ (1.名工大)

14:45 〜 15:00

[21p-B202-6] ドロップ蒸発堆積SnO₂およびCo₃O₄/ SnO₂ヘテロ接合

〇リトウ¹、市村正也¹ (1.名工大工)

15:00 〜 15:15

[21p-B202-7] RFマグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜の作製とn型伝導の観測

〇藤中将人¹、中村陽紀¹、片桐翔¹、石川博康^1,2 (1.芝浦工大、2.グリーンエレクトロニクス国際研究研究センター)

15:30 〜 15:45

[21p-B202-8] 光干渉効果を考慮したシースルー型ペロブスカイト/PbS量子ドット中間バンド太陽電池の逆設計と作製

〇斯波廣大^1,2、山口浩一¹、沈青¹、早瀬修二¹、岡田至崇³、曽我部東馬^1,2,3 (1.電通大基盤理工、2.(株)グリッド、3.東大先端研)

15:45 〜 16:00

[21p-B202-9] Fabry-Pérot光閉じ込め構造を用いた薄膜量子ドット太陽電池の評価

〇樗木悠亮^1,2、北原健渡^1,2、宮下直也²、岡田至崇^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

16:00 〜 16:15

△ [21p-B202-10] 外部量子効率の形状が開放電圧に与える影響と量子構造太陽電池の最適化設計

〇(D)浅見明太¹、渡辺健太郎²、中野義昭¹、杉山正和^1,2 (1.東大工、2.先端研)

16:15 〜 16:30

[21p-B202-11] 二端子直列太陽電池-熱電素子タンデムの出力最大化設計手法

〇佐久間惇¹、上出健仁²、望月敏光²、高遠秀尚²、秋山英文¹ (1.東大物性研、2.産総研)

16:30 〜 16:45

[21p-B202-12] 直列2端子PVTEハイブリッドの普遍的ロスレス結合公式

〇上出健仁¹、佐久間惇²、望月敏光¹、高遠秀尚¹、秋山英文² (1.産総研、2.東大物性研)

16:45 〜 17:00

▼ [21p-B202-13] Electrical Properties of AlGaAs/GaAs-Based Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Doubled heterointerfaces

〇Hambalee Mahamu¹、Shigeo Asahi¹、Takashi Kita¹ (1.Kobe Univ.)

セッション情報

[21p-B202-1~13] 13.9 化合物太陽電池

▼ [21p-B202-1] Effects of Thin Ag₂S Buffer Layers on CuGaS₂ Thin Films Grown with RF Sputtering

▼ [21p-B202-2] Investigation on MoS₂ Thin-film for Solar Cell Applications

▼ [21p-B202-3] Improved Photovoltaic Properties of Few-layer WS_0.3Se_1.7/WO_x Lateral p⁺-n Junctions

[21p-B202-4] CdS/Cu₂O 界面のバンド接続

[21p-B202-5] 中間層に水酸化マグネシウム薄膜を用いた酸化鉄薄膜太陽電池の作製

[21p-B202-6] ドロップ蒸発堆積SnO₂およびCo₃O₄/ SnO₂ヘテロ接合

[21p-B202-7] RFマグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜の作製とn型伝導の観測

[21p-B202-8] 光干渉効果を考慮したシースルー型ペロブスカイト/PbS量子ドット中間バンド太陽電池の逆設計と作製

[21p-B202-9] Fabry-Pérot光閉じ込め構造を用いた薄膜量子ドット太陽電池の評価

△ [21p-B202-10] 外部量子効率の形状が開放電圧に与える影響と量子構造太陽電池の最適化設計

[21p-B202-11] 二端子直列太陽電池-熱電素子タンデムの出力最大化設計手法

[21p-B202-12] 直列2端子PVTEハイブリッドの普遍的ロスレス結合公式

▼ [21p-B202-13] Electrical Properties of AlGaAs/GaAs-Based Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Doubled heterointerfaces

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[21p-B202-1~13] 13.9 化合物太陽電池

▼ [21p-B202-1] Effects of Thin Ag2S Buffer Layers on CuGaS2 Thin Films Grown with RF Sputtering

▼ [21p-B202-2] Investigation on MoS2 Thin-film for Solar Cell Applications

▼ [21p-B202-3] Improved Photovoltaic Properties of Few-layer WS0.3Se1.7/WOx Lateral p+-n Junctions

△ [21p-B202-10] 外部量子効率の形状が開放電圧に与える影響と量子構造太陽電池の最適化設計

▼ [21p-B202-13] Electrical Properties of AlGaAs/GaAs-Based Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Doubled heterointerfaces

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▼ [21p-B202-1] Effects of Thin Ag₂S Buffer Layers on CuGaS₂ Thin Films Grown with RF Sputtering

▼ [21p-B202-2] Investigation on MoS₂ Thin-film for Solar Cell Applications

▼ [21p-B202-3] Improved Photovoltaic Properties of Few-layer WS_0.3Se_1.7/WO_x Lateral p⁺-n Junctions