[20a-A200-1~10] 17.3 層状物質

[20a-A200-4] CVD法によって作製したNbS₂薄膜の成長方向の水素流量依存性

〇荒沢 奨輝¹、横倉 聖也²、長浜 太郎²、島田 敏宏² (1.北大院総化、2.北大院工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、化学気相蒸着法

水素流量を変化させて、NbS₂薄膜の成長方向を制御した。