[20a-A200-1~10] 17.3 層状物質

△ [20a-A200-6] 反応性スパッタリングで成膜したMoS₂の基板材料依存性

〇(D)金 明玉^1,2、アーサン ナズムル²、謝 丹栄^1,2、グプタ アビシェーク^2,3、岡田 至崇^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研、3.東大院総合文化)

キーワード：反応性スパッタリング、MoS2、基板

反応性スパッタリングで種々の基板上にMoS₂薄膜を成膜し、MoS₂の特性を評価した。多結晶やアモルファス基板上では、c面が基板に対して垂直に成長することが報告された。本研究でSiや単結晶c-Al₂O₃上に、同じ条件で成膜した場合も、垂直に成長することが観察された。しかし、光電子測定で価電子帯端のエネルギー位置を評価した結果、基板の種類によりイオン化ポテンシャルが変化することが観察された。