[20a-A406-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20a-A406-5] CWレーザー結晶化Si薄膜上発生ピットの評価

〇(M2)高山 智之¹、佐々木 伸夫^1,2、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.Sasaki Consulting)

キーワード：レーザーアニール、低温ポリシリコン

低温多結晶シリコン(LTPS)は、a-Siと比較して高いキャリア移動度を有するため、薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル領域として、ディスプレイや三次元ICへの活用が期待されている。Uniformityの高いtop-flat線状 beamを用いたレーザーアニールでは、結晶方位が(100)に揃っているだけでなく、結晶粒界（回転角＞15°）が存在しない(Grain-Boundary Free) 巨大結晶をスキャンに沿って定常的に得ることができる。最適条件から外れたTop-flat beam CLC結晶化において、ピット（穴, void）の発生が観察される事がある。本研究では、このピットの発生について検討を行った。