[20a-B103-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[20a-B103-11] スパッタ法によるSi基板上エピタキシャルPZT薄膜のアニール効果

〇原田 絃暉¹、木村 剛基¹、田中 清高¹、權 相曉¹、神野 伊策¹ (1.神戸大工)

キーワード：チタン酸ジルコン酸鉛、スパッタ、アニール

スパッタ法で作製したPZT圧電薄膜は熱ひずみ等による内部応力が存在している。我々は放射光を用いた高温XRD測定によりPZT薄膜の残留応力が緩和されることを確認した。本研究では、Si基板上エピタキシャルPZT薄膜に、650℃および750℃の温度でポストアニール処理を行い、その結晶構造変化および圧電特性への影響を調べた。その結果、アニールにより比誘電率が増加しており、これはドメイン構造の変化が原因であると考えられる。