[20a-B103-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

[20a-B103-12] In-situ XRD of piezoelectric strain in epitaxial (K,Na)NbO₃ thin films

〇Rei Ogawa¹, Kiyotaka Tanaka¹, Sang Hyo Kweon¹, Isaku Kanno¹, Goon Tan², Tomoyuki Koganezawa³ (1.Kobe Univ., 2.Osaka Metropolitan Univ., 3.JASRI)

Keywords:lead-free ferroelectric thin film, synchrotron radiation, piezoelectric

これまで我々は、スパッタ法で作製した多結晶KNN薄膜を放射光XRDで測定し、電界誘起相転移を示唆する結果を観察した 。また、Si上にエピタキシャルKNN薄膜を作製し、ポストアニールによって逆圧電定数|e_31,f|が6.5 C/m²に増加することを確認している。本研究では放射光XRDを用いてエピタキシャルKNN薄膜の逆圧電効果による結晶ひずみを観察した。その結果、ポストアニール前後でKNN薄膜の圧電性の起源が変化したことが示唆された。