[20a-B103-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

[20a-B103-11] Annealing effect of epitaxial Pb(Zr,Ti)O₃ thin films on Si substrate by sputtering

〇Genki Harada¹, Goki Kimura¹, Kiyotaka Tanaka¹, Sang Hyo Kweon¹, Isaku Kanno¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:PZT, Sputtering, Annealing

スパッタ法で作製したPZT圧電薄膜は熱ひずみ等による内部応力が存在している。我々は放射光を用いた高温XRD測定によりPZT薄膜の残留応力が緩和されることを確認した。本研究では、Si基板上エピタキシャルPZT薄膜に、650℃および750℃の温度でポストアニール処理を行い、その結晶構造変化および圧電特性への影響を調べた。その結果、アニールにより比誘電率が増加しており、これはドメイン構造の変化が原因であると考えられる。