[20a-B103-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [20a-B103-5] Zr/Ti ratio dependance of mechanical Q factor of Pb(Zr_x,Ti_1-x)O₃ epitaxial thin films

〇Sota Kuninobu^1,2, Yuki Shimizu^1,2, Takahiko Yanagitani^1,2,3,4 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST)

Keywords:Ferroelectric, PZT thin film, mechanical Q factor

PZT単結晶薄膜は多結晶薄膜に比べて高い機械的Q値(Q_m)が期待され、GHz帯薄膜共振子への応用も検討に値する。しかしながら、PZT単結晶薄膜共振子のQ_m値に関する研究はほとんどない。その要因として、Q_m値測定に必要な自立薄膜構造のPZT薄膜共振子が作製困難であることが挙げられる。そこで本研究では、基板を除去していないPZTエピタキシャル薄膜のQ_m値を抽出し、Zr/Ti比によるPZT薄膜のQ_m値依存性を評価した。