[20a-B103-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20a-B103-5] PZTエピタキシャル薄膜のZr/Ti比における機械的品質Q_mの依存性

〇國信 聡太^1,2、清水 祐樹^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,4 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)

キーワード：強誘電体、PZT薄膜、Q値

PZT単結晶薄膜は多結晶薄膜に比べて高い機械的Q値(Q_m)が期待され、GHz帯薄膜共振子への応用も検討に値する。しかしながら、PZT単結晶薄膜共振子のQ_m値に関する研究はほとんどない。その要因として、Q_m値測定に必要な自立薄膜構造のPZT薄膜共振子が作製困難であることが挙げられる。そこで本研究では、基板を除去していないPZTエピタキシャル薄膜のQ_m値を抽出し、Zr/Ti比によるPZT薄膜のQ_m値依存性を評価した。