[20a-B103-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[20a-B103-8] ガラス基板上における一軸配向PZT薄膜の組成制御による分極特性の改善

〇山崎 佑介¹、横田 幸恵¹、島 宏美²、舟窪 浩³、内田 寛¹ (1.上智大、2.防衛大、3.東工大)

キーワード：PZT、薄膜、ガラス

チタン酸ジルコン酸鉛Pb(Zr,Ti)O₃ (PZT)は優れた強誘電体であることから微小電気機械システム(MEMS)などの圧電素子への応用が期待される。近年、ガラスを基板とした圧電性PZT素子の利用が電子・光学機器製造の分野で注目されており、このような素子を作製するためには、ガラスの熱歪みの回避を目的としたPZTの低温製造技術が必要となる。我々はこれまでに金属酸化物ナノシート(ns-CN)の導入によるガラス耐熱温度未満(500 ^oC)における(00l)一軸配向PZT強誘電体薄膜の作製を報告した。更に優れた特性を有するPZT薄膜をガラス基板上で低温作製することを最終目標として、本報告では薄膜材料の組成制御による分極特性の更なる改善を試みた。