[20a-B203-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20a-B203-10] Performance evaluation of oxide semiconductors using photosensitive high-k hybrid
Barium Titanate/Polysiloxane as gate insulator

〇Taisei Ando¹, Bermundo Juan Paolo Soria¹, Yamamoto Atsuko², Tanaka Hiroyuki¹, Uraoka Yukiharu¹ (1.NAIST, 2.Merck Electronics)

Keywords:semiconductor

ディスプレイの1つ1つを駆動する薄膜トランジスタ（TFT）の半導体材料には、これまでアモルファスのIGZOが利用されてきた。IGZOはs軌道がキャリアの伝導経路となり、空間的に大きく広がる球対称をとる。これにより10~40 cm2/Vsといった高移動度の実現を可能とすることができる。一方で、IGZOTFT製作時にはドライエッチングの際にデバイスの損傷が見受けられる。そこで、感光性材料が組み込まれた高誘電率なゲート絶縁膜であるBTO/PSXを利用することが挙げられる。この材料は高誘電でありゲート絶縁膜の膜厚課題を解消できる・液体プロセスでエッチング工程不要で作製可能であるという利点を生かした材料である。この高誘電率で感光性能も兼ね備えたBTO/PSX絶縁膜を用いてIGZOTFTを作製し、特性を評価することで従来のIGZOTFTの性能を上回ることが本研究の目的である。