[20a-B203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B203-9] InGaO₃(ZnO)_n単結晶の酸素アニールによる輸送特性の制御

〇加瀬 直樹¹、井上 禎人¹、漆間 由都¹、河村 優介¹、川上 冬樹¹、宮川 宣明¹ (1.東理大理)

キーワード：透明酸化物半導体、単結晶

我々の研究グループでは9気圧下におけるOptical Floating Zone (OFZ)法によって、これまで困難であったInGaO₃(ZnO)_n (n = 1, 2, 3 以下IGZO-1nと表記)における大型単結晶の育成に成功した^[1-4]。我々が育成した単結晶試料は酸素アニールのよってキャリア密度や移動度の制御が可能である。しかしアニール効果は試料形状などにも依存してしまうため詳細な酸素アニールによる輸送特性の変化は明らかに出来ていない。本研究では、正確に整形したInGaO₃(ZnO)_n (n = 1, 2, 3)単結晶試料を用いて、酸素アニールによる輸送特性の変化を調べた。