[20a-B203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B203-7] W 添加 In₂0₃ 薄膜における電子弱局在化の電子格子相互作用への効果

〇山本 哲也^1,2、Palani Rajasekaran¹、牧野 久雄² (1.高知工科大総研、2.高知工科大院工)

キーワード：酸化インジウム、弱局在化、電子格子相互作用

我々はIn₂O₃ 系透明導電膜におけるホール移動度向上を目的とする研究を実施している. 基板無加熱条件下で得られるアモルファス W 添加 In₂O₃薄膜（膜厚 t: 5〜50 nm）では電気抵抗率の t 依存性は大きい.固相結晶化法はその課題をほぼ解決する. これはキャリア密度とホール移動度との t 依存性の相違に因る. 本講演ではその物理を議論するべく, 電子局在化と電子格子相互作用との相関を議論する.