[20a-B203-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20a-B203-6] Crystal structure and orientation of Si doped WO₃ films

〇Yutaka Adachi¹ (1.NIMS)

Keywords:gas sensor, pulsed laser deposition, thin film XRD

WO₃はガスセンサ材料として知られている酸化物半導体であり、Siを添加することによりアセトンに対して優れたガスセンサ特性を示す。この優れたセンサ特性は、Si添加による低温単斜晶相の生成に起因するものと考えられている。本来は低温で安定な結晶相が室温以上で安定化した報告は粉末によるものが多く、薄膜における報告はほとんどない。本研究では、Siの添加がWO₃薄膜の結晶構造と配向にどのように影響を与えるかを調査した。