[20a-B203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B203-5] 原子状酸素処理による非晶質In-Sn-Zn-O薄膜トランジスタの信頼性評価

〇玉井 隆一¹、清水 耕作¹ (1.日本大生産工)

キーワード：酸化物半導体、酸素化、薄膜トランジスタ

我々は非晶質In-Sn-Zn-O薄膜トランジスタの信頼性について検討してきた。これまでの検討ではNBIS，PBISストレスに対して、伝導帯下～1.5 eVの欠陥準位が増大し、Vtシフトに強い相関があることを明らかにした。本研究ではホットワイヤ法による原子状酸素処理による信頼性向上を試みた。CPM測定の結果、信頼性に影響する伝導帯下～1.5 eVの欠陥準位の減少を確認し、PBIS信頼性を向上させた。