[20a-B203-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20a-B203-4] Drain Current Reduction by Ozone and Recovery by Photon Irradiation in IGZO-TFT

〇(M2)Hiroharu Sasajima¹, Takaaki Morimoto¹, Keisuke Ishii¹ (1.NDA)

Keywords:IGZO, ozone, solution method

大気中260～400℃の焼成温度で作製した溶液法IGZO-TFTをオン状態としたときのI_Dは濃度約5ppmのオゾンを暴露したとき時間とともに減少する。その減少率は焼成温度が340℃以下で大きく、340℃を超えると小さくなる傾向が見られた。焼成温度が上がるにつれてOH基によるFTIRピークとO1sXPSピークが減少傾向を示すためOH基がI_D減少の主因と考えられる。また、オゾンにより減少したI_Dは波長400nmの光照射により回復する。