[20a-B203-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20a-B203-9] Control of the transport properties of the InGaO₃(ZnO)_n single crystals by the O₂ annealing effect

〇Naoki Kase¹, Tadahito Inoue¹, Yuto Uruma¹, Yusuke Kawamura¹, Fuyuki Kawakami¹, Nobuaki Miyakawa¹ (1.Tokyo Univ. Sci.)

Keywords:transparent semiconductor, single crystal

我々の研究グループでは9気圧下におけるOptical Floating Zone (OFZ)法によって、これまで困難であったInGaO₃(ZnO)_n (n = 1, 2, 3 以下IGZO-1nと表記)における大型単結晶の育成に成功した^[1-4]。我々が育成した単結晶試料は酸素アニールのよってキャリア密度や移動度の制御が可能である。しかしアニール効果は試料形状などにも依存してしまうため詳細な酸素アニールによる輸送特性の変化は明らかに出来ていない。本研究では、正確に整形したInGaO₃(ZnO)_n (n = 1, 2, 3)単結晶試料を用いて、酸素アニールによる輸送特性の変化を調べた。