[20a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20a-C200-11] 導電性HfO₂/TiO₂ DBR を用いた垂直共振器型Eu添加GaN 赤色発光ダイオードの動作実証

〇一宮 亘¹、市川 修平^1,2、小林 周平¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター)

キーワード：分布ブラッグ反射鏡、窒化ガリウム、共振器型LED

我々はEu添加GaN(GaN:Eu)を活性層にしたGaN系赤色LEDの作製に成功しており、これまでに発光層であるGaN:Eu層の下部にn型AlInN/GaNを、上部にSiO₂/ZrO₂を分布ブラッグ反射鏡(DBR)として導入した垂直共振器型LEDを作製することにより、電流注入下での赤色発光の増強を実現した。本研究では、誘電体であるSiO₂/ZrO₂ DBRに代わり絶縁破壊過程を経ることで導電性を示すHfO₂/TiO₂ DBRを上部DBRに適用し、作製プロセスの簡便化を図るとともに、電流駆動下での赤色発光強度の増大を観測した。