[20a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-C200-3] MOVPE and wafer bowing of GaN on 2-inch ScAlMgO4 substrates

〇Takato Fukui¹, Taro Sakaguchi¹, Yoshinobu Matsuda¹, Makoto Matsukura², Takahiro Kojima², Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ., 2.OXIDE)

Keywords:GaN, ScAlMgO4, MOVPE

ScAlMgO4(SAM)基板はサファイア基板と比較して，窒化ガリウム(GaN)との格子不整合度や熱膨張係数差が小さい為，高品質GaNの成長用基板として注目されている．小さい熱膨張係数差は，ウェハのクラックや反りが低減されることが期待されるが，これまでにSAM基板上GaN薄膜の反りに関する報告はない．そこで本研究では，2インチSAM基板上にGaN薄膜を結晶成長し，その反りを評価したので報告する．