[20a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-C200-3] 2インチScAlMgO4基板上へのGaNのMOVPE成長と反り評価

〇福井 崇人¹、坂口 太郎¹、松田 祥伸¹、松倉 誠²、小島 孝広²、船戸 充¹、川上 養一¹ (1.京大院工、2.オキサイド)

キーワード：GaN、ScAlMgO4、MOVPE

ScAlMgO4(SAM)基板はサファイア基板と比較して，窒化ガリウム(GaN)との格子不整合度や熱膨張係数差が小さい為，高品質GaNの成長用基板として注目されている．小さい熱膨張係数差は，ウェハのクラックや反りが低減されることが期待されるが，これまでにSAM基板上GaN薄膜の反りに関する報告はない．そこで本研究では，2インチSAM基板上にGaN薄膜を結晶成長し，その反りを評価したので報告する．